SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS

To realize a high performance semiconductor device which suppresses disconnection of a via wiring line provided in a substrate and a diamond layer that are bonded.SOLUTION: A semiconductor device 1A comprises: a substrate 10; and a diamond layer 30 that is bonded to the substrate. The substrate 10 has an inclined surface 12 that is inclined relative to a surface 10b at an edge part 11a of a via hole 11 which penetrates from one surface 10b to the other surface 10a. The diamond layer 30 has a via hole 31 which penetrates from one surface 30b to the other surface 30a being bonded to the substrate 10, and in which an edge part 31a faces a part being on an inner side of an outer edge 12a of the inclined surface 12. An embedded layer 40 having a via hole 41 communicating with the via holes 11 and 31 is provided between the inclined surface 12 of the substrate 10 and a surface 30a of the diamond layer 30. Through this, disconnection of the via wiring line 60 provided on inner surfaces of the via holes 11, 41 and 31 is suppressed, as is deterioration of performance of the semiconductor device 1A.SELECTED DRAWING: Figure 9 【課題】接合される基板及びダイヤモンド層に設けられるビア配線の断線を抑えた高性能の半導体装置を実現する。【解決手段】半導体装置１Ａは、基板１０及びそれと接合されるダイヤモンド層３０を含む。基板１０は、一方の面１０ｂから他方の面１０ａまで貫通するビアホール１１の縁部１１ａに、面１０ｂに対して傾斜した傾斜面１２を有する。ダイヤモンド層３０は、一方の面３０ｂから基板１０と接合される他方の面３０ａまで貫通し、縁部３１ａが傾斜面１２のその外縁１２ａよりも内側の部位と対向するビアホール３１を有する。基板１０の傾斜面１２とダイヤモンド層３０の面３０ａとの間には、ビアホール１１，３１と連通するビアホール４１を有する埋め込み層４０が設けられる。これにより、ビアホール１１，４１，３１の内面に設けられるビア配線６０の断線が抑えられ、半導体装置１Ａの性能の低下が抑えられる。【選択図】図９