SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD OF SPUTTERING TARGET, AND OPTICAL FILM
To provide a sputtering target having a sufficiently large density and capable of suppressing a reflectivity of a laminate of a metal film and an optical function film sufficiently low when the optical function film is laminated on the metal film by deposition.SOLUTION: A sputtering target includes...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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Zusammenfassung: | To provide a sputtering target having a sufficiently large density and capable of suppressing a reflectivity of a laminate of a metal film and an optical function film sufficiently low when the optical function film is laminated on the metal film by deposition.SOLUTION: A sputtering target includes a carbide phase consisting of a carbide of one or two elements selected from Ti and Nb, and an oxide phase consisting of an oxide of one or two elements selected from Ti, Mo, Ta, and W, has a metal phase area ratio of 5% or less, and a density ratio of 90% or more. The sputtering target preferably has a structure in which the carbide phase is dispersed in a matrix consisting of the oxide phase, and the average grain size of the carbide phase is preferably 1 μm or more and 100 μm or less.SELECTED DRAWING: None
【課題】密度が十分に高く、かつ、金属膜に積層して光学機能膜を成膜した際に、金属膜と光学機能膜との積層膜における反射率を十分に低く抑えることが可能なスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Ti,Nbから選択される一種又は二種の元素の炭化物からなる炭化物相と、Ti,Mo,Ta,Wから選択される一種又は二種以上の元素の酸化物からなる酸化物相と、を含有し、金属相の面積率が5%以下とされており、密度比が90%以上であることを特徴とする。前記酸化物相からなるマトリックス中に前記炭化物相が分散した組織とされ、前記炭化物相の平均粒子径が1μm以上100μm以下の範囲内とされていることが好ましい。【選択図】なし |
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