SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE

To reduce a damage on a back surface of a substrate at absorption of the substrate in substrate processing in which the substrate is adsorbed on a substrate table heated by a heater.SOLUTION: A substrate processing device includes a substrate table for adsorbing a substrate, a heater for heating the...

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Hauptverfasser: MORIKAWA KATSUHIRO, MIZUNAGA KOICHI, NEGISHI KOSUKE, TACHIBANA KOZO, AKUMOTO MASAMI
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To reduce a damage on a back surface of a substrate at absorption of the substrate in substrate processing in which the substrate is adsorbed on a substrate table heated by a heater.SOLUTION: A substrate processing device includes a substrate table for adsorbing a substrate, a heater for heating the substrate table, and a processing liquid nozzle for supplying processing liquid to the substrate adsorbed on the substrate table. A substrate processing method is to perform liquid processing on the substrate in the substrate processing device and includes an adsorbing step of adsorbing the substrate with the substrate table when a temperature difference between the substrate and the substrate table is zero or within a predetermined range, and a processing liquid supplying step of, after the adsorbing step, supplying the processing liquid from the processing liquid nozzle to the substrate adsorbed on the substrate table heated by the heater.SELECTED DRAWING: Figure 12 【課題】ヒーターにより加熱される基板テーブルに基板を吸着させて基板処理を行うにあたり、基板の吸着時に基板の裏面に生じる傷を低減する。【解決手段】基板処理方法は、基板を吸着する基板テーブルと、前記基板テーブルを加熱するヒーターと、前記基板テーブルに吸着された前記基板に処理液を供給する処理液ノズルと、を備えた基板処理装置において前記基板を液処理する基板処理方法において、前記基板と前記基板テーブルとの温度差が無いかあるいは予め定められた範囲内にあるときに、前記基板テーブルにより前記基板を吸着する吸着工程と、前記吸着工程の後に、前記ヒーターにより加熱されている前記基板テーブルに吸着されている前記基板に前記処理液ノズルから処理液を供給する処理液供給工程とを備えている。【選択図】図12