SCHOTTKY DIODE

To provide a Ga2O3-based Schottky diode with high breakdown voltage, low loss, and excellent resistance against surge current.SOLUTION: A Schottky diode 1 includes an n-type semiconductor layer 11 formed of Ga2O3-based single crystal and including a plurality of trenches 12 that open to one surface 18, an anode electrode 13 connected to a mesa shape region 110 between the adjacent trenches 12 of the n-type semiconductor layer 11, an anode electrode 16 embedded in each of the trenches 12 in a state of being covered with a trench insulating film 15 and electrically connected to the anode electrode 13, a cathode electrode 14 directly or indirectly connected to the n-type semiconductor layer 11 on the side opposite to the anode electrode 13, and a p-type semiconductor member 17 connected to a part of the mesa shape region 110 and the anode electrode 16 and formed of BN or AlxGa1-xN (x>0).SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】高耐圧かつ低損失であり、かつサージ電流への耐性に優れたＧａ２Ｏ３系のショットキーダイオードを提供する。【解決手段】一実施の形態として、Ｇａ２Ｏ３系単結晶からなり、一方の面１８に開口する複数のトレンチ１２を有するｎ型半導体層１１と、ｎ型半導体層１１の隣接するトレンチ１２の間のメサ形状領域１１０に接続されたアノード電極１３と、トレンチ絶縁膜１５に覆われた状態で複数のトレンチ１２のそれぞれに埋め込まれ、アノード電極１３に電気的に接続されたアノード電極１６と、ｎ型半導体層１１のアノード電極１３と反対側に直接又は間接的に接続されたカソード電極１４と、メサ形状領域１１０の一部及びアノード電極１６に接続された、ＢＮ又はＡｌｘＧａ１－ｘＮ（ｘ＞０）からなるｐ型半導体部材１７と、を備えた、ショットキーダイオード１を提供する。【選択図】図１