LOAD DRIVE DEVICE

To provide a load drive device that enables long-term operation even in a high temperature environment.SOLUTION: In a first MOSFET 2, a source S is connected to the downstream side of a load 30. A drain D of a second MOSFET 3 is connected to the drain D of a first MOSFET 2. A gate voltage control ci...

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Hauptverfasser: SHIMADA HIROSHI, KOMURO TOYOICHI, KITAI NAOKI
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a load drive device that enables long-term operation even in a high temperature environment.SOLUTION: In a first MOSFET 2, a source S is connected to the downstream side of a load 30. A drain D of a second MOSFET 3 is connected to the drain D of a first MOSFET 2. A gate voltage control circuit 5 is connected to a gate G of the first MOSFET 2, and electrically transmits a gate voltage higher than a threshold voltage to the gate G of the first MOSFET 2 only when the second MOSFET 3 is ON. When a power supply 20 is positively connected, a gate voltage supply circuit 4 outputs a voltage Vo higher than the threshold voltage to the gate voltage control circuit 5. When the power supply is reversely connected, the gate voltage supply circuit 4 stops the output of the voltage Vo to the gate voltage control circuit 5.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】 高温環境下においても長期的な稼働が可能となる負荷駆動装置を提供する。【解決手段】 第1のMOSFET2は、負荷30の下流側にソースSが接続されている。第2のMOSFET3のドレインDは、第1のMOSFET2のドレインDに接続されている。ゲート電圧制御回路5は、第1のMOSFET2のゲートGに接続され、第2のMOSFET3がONのときにのみ閾値電圧よりも高いゲート電圧を第1のMOSFET2のゲートGに電気的に伝達する。電源20が正接続された場合には、ゲート電圧供給回路4は、閾値電圧よりも高い電圧Voをゲート電圧制御回路5に出力する。電源が逆接続された場合には、ゲート電圧供給回路4は、ゲート電圧制御回路5への電圧Voの出力を中止する。【選択図】 図1