SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

To provide a technology to reduce heat dissipation in a chamber.SOLUTION: A substrate processing apparatus 1 that heats a substrate 9 includes a chamber 2, a plurality of support pins 3, and a hot plate 4. The plurality of support pins 3 support the substrate 9 in the chamber 2. The hot plate 4 heat...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: MATSUDA KOJI, HIROSE MIKIYA, TSUBOTA SHIMPEI, NAKANE SHINGO, IKEDA FUMIHIKO
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a technology to reduce heat dissipation in a chamber.SOLUTION: A substrate processing apparatus 1 that heats a substrate 9 includes a chamber 2, a plurality of support pins 3, and a hot plate 4. The plurality of support pins 3 support the substrate 9 in the chamber 2. The hot plate 4 heats the substrate supported by the plurality of support pins 3. The inner surface of the chamber 2 is composed of a first fiber reinforced resin layer. The outer surface of the chamber 2 is composed of a second fiber reinforced resin layer.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】チャンバの放熱を軽減する技術を提供する。【解決手段】基板処理装置1は、基板9を加熱する装置である。基板処理装置1は、チャンバ2と、複数の支持ピン3と、ホットプレート4を有する。複数の支持ピン3は、チャンバ2内において基板9を支持する。ホットプレート4は、複数の支持ピン3に支持された基板を加熱する。チャンバ2の内側の表面は、第1繊維強化樹脂層で構成される。チャンバ2の外側の表面は、第2繊維強化樹脂層で構成される。【選択図】図1