MANUFACTURING METHOD OF WIDE BAND GAP SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a manufacturing method of a wide band gap semiconductor device capable of accurately forming an exposure mask even if there is a defect.SOLUTION: In calculating a surface reference plane for each shot, if a position of a defect having a predetermined uneven height is coincides with any one of five channels performing height measurement, the surface reference plane is calculated except the channel. Thus, since an approximate plane is calculated by ignoring the height data of the channel in which surface irregularity of the surface of a semiconductor wafer 10 cannot be accurately measured due to wrong height data, that is, an influence of the defect, the surface reference plane can be calculated with accuracy. Thereby, when the exposure mask is formed by a resist 11, even if there is defect, the exposure mask can be formed accurately.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】欠陥が存在していても的確に露光マスクを形成できるワイドバンドギャップ半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ショット毎の表面基準面を算出する際に、高さ測定を行う５つのチャンネルのうちのいずれかの位置に所定の凹凸高さを有する欠陥の位置が一致している場合、そのチャンネルを除いて表面基準面を算出している。これにより、誤った高さデータ、つまり欠陥の影響によって半導体ウェハ１０の表面の凹凸を正確に測定できなかったチャンネルの高さデータを無視して近似平面が算出されるため、精度良く表面基準面を算出できる。よって、レジスト１１によって露光マスクを形成する際に、欠陥が存在していても的確に露光マスクを形成できる。【選択図】図３