SOLID-STATE IMAGING ELEMENT

To provide a solid-state imaging element capable of supporting high resolution while suppressing petal flare.SOLUTION: A solid-state imaging element 100 includes a wafer substrate 101 having a plurality of photoelectric conversion elements PD, a filter unit 10 formed on the wafer substrate and havin...

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1. Verfasser: NOZAKI WATARU
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a solid-state imaging element capable of supporting high resolution while suppressing petal flare.SOLUTION: A solid-state imaging element 100 includes a wafer substrate 101 having a plurality of photoelectric conversion elements PD, a filter unit 10 formed on the wafer substrate and having a plurality of color filters arranged in correspondence with the photoelectric conversion elements, and a microlens unit 20 having a plurality of microlenses 21 arranged in correspondence with the color filters. In the plurality of microlenses, a diagonal gap, which is the shortest distance between two microlenses adjacent to each other in the diagonal direction of a color filter area in which color filters are arranged, is between 15% or more and 25% or less of the longest side in the plan view shape of the color filter area.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ペタルフレアを抑制しつつ、高精細化に対応可能な固体撮像素子を提供する。【解決手段】固体撮像素子100は、複数の光電変換素子PDを有するウェハ基板101と、ウェハ基板上に形成され、光電変換素子に対応して配置された複数種類の色フィルタを有するフィルタ部10と、色フィルタに対応して配置された複数のマイクロレンズ21を有するマイクロレンズ部20とを備える。複数のマイクロレンズにおいて、色フィルタが配置された色フィルタ領域の対角方向に隣接する2つのマイクロレンズの最短距離である対角ギャップは、色フィルタ領域の平面視形状における最長辺の15%以上25%以下である。【選択図】図1