THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE AND METHOD THEREOF

To provide a three-dimensional memory device having high write/read speed and a small size, and a method for forming the three-dimensional memory device.SOLUTION: In a random access memory, a memory array 52 includes a source wire 64S extending in a first direction, a bit wire 64B extending in the first direction, a back gate between the source wire and the bit wire, which extends in the first direction, a channel layer surrounding the back gate, a word wire 62 extending in a second direction perpendicular to the first direction, a data storage layer (tunneling strip 84) extending along the word wire, a data storage layer placed between the word wire and the channel layer, a data storage layer placed between the word wire and the bit wire, and a data storage layer placed between the word wire and the source wire.SELECTED DRAWING: Figure 2B 【課題】書込み／読取の速度が速く、サイズが小さい三次元メモリデバイス及びその形成方法を提供する。【解決手段】ランダムアクセスメモリにおいて、メモリ配列５２は、第１方向に延伸するソース線６４Ｓと、第１方向に延伸するビット線６４Ｂと、ソース線とビット線との間のバックゲートであって、第１方向に延伸するバックゲートと、バックゲートを囲むチャネル層と、第１方向に垂直となる第２方向に延伸するワード線６２と、ワード線に沿って延伸するデータストレージ層（トンネリングストリップ８４）と、ワード線とチャネル層との間に配置されるデータストレージ層と、ワード線ビット線との間に配置されるデータストレージ層と、ワード線とソース線との間に配置されるデータストレージ層と、を備える。【選択図】図２Ｂ