SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a suitable semiconductor device even in the case of using a SiC substrate for a semiconductor chip.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a semiconductor chip 30 with an element formed on a SiC substrate; a pair of heat sinks 40 and 50, making heat dissipation members and disposed so as to hold the semiconductor chip 30 therebetween, and a terminal 60; and solder 90, 91, 92 interposed between the semiconductor chip and the heat dissipation members, and forming connecting portions. The solder 90, 91 is composed of a lead-free solder having an alloy composition, and containing Ag of 3.2-3.8 mass%, Cu of 0.6-0.8 mass%, and Ni of 0.01-0.2 mass%, Sb and Bi so as to satisfy x+2y≤11 mass%, x+14y≤42 mass% and x≥5.1 mass% supposing an Sb content of x mass% and a Bi content of y mass%, Co of 0.001-0.3 mass%, and P of 0.001-0.2 mass% with the balance consisting of Sn.SELECTED DRAWING: Figure 7 【課題】半導体チップにＳｉＣ基板を用いた場合でも好適な半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置は、ＳｉＣ基板に素子が形成された半導体チップ３０と、半導体チップ３０を挟むように配置された放熱部材であるヒートシンク４０、５０およびターミナル６０と、半導体チップと放熱部材との間に介在して接合部を形成するはんだ９０、９１、９２を備えている。はんだ９０、９１は、Ａｇを３．２～３．８質量％、Ｃｕを０．６～０．８質量％、Ｎｉを０．０１～０．２質量％含むとともに、Ｓｂの含有量をｘ質量％、Ｂｉの含有量をｙ質量％とすると、ｘ＋２ｙ≦１１質量％、ｘ＋１４ｙ≦４２質量％、及び、ｘ≧５．１質量％を満たすようにＳｂとＢｉを含み、さらに、Ｃｏを０．００１～０．３質量％、Ｐを０．００１～０．２質量％含み、残部がＳｎからなる合金組成の鉛フリーはんだである。【選択図】図７