SUBSTRATE DETACHMENT METHOD AND PLASMA PROCESSING DEVICE
To suppress a decrease in electrostatic adsorption force of a substrate.SOLUTION: A method of detaching an electrostatically adsorbed substrate from an electrostatic chuck inside a processing container by applying a DC voltage to an adsorption electrode embedded in the electrostatic chuck includes a...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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Zusammenfassung: | To suppress a decrease in electrostatic adsorption force of a substrate.SOLUTION: A method of detaching an electrostatically adsorbed substrate from an electrostatic chuck inside a processing container by applying a DC voltage to an adsorption electrode embedded in the electrostatic chuck includes a step of supplying static eliminating gas to the inside of the processing container to generate plasma of the static eliminating gas in a state where the plasma-treated substrate is electrostatically adsorbed by the electrostatic chuck, a step of raising the substrate by a lift pin while maintaining the plasma of the static eliminating gas and disconnecting the substrate from the electrostatic chuck, and a step of applying a negative DC voltage to the adsorption electrode.SELECTED DRAWING: Figure 5
【課題】基板の静電吸着力の低下を抑制する。【解決手段】処理容器の内部の静電チャックに埋設された吸着電極に直流電圧を印加することにより静電吸着された基板を前記静電チャックから離脱させる方法であって、プラズマ処理を施した前記基板が前記静電チャックに静電吸着された状態において、前記処理容器の内部に除電用ガスを供給し、該除電用ガスのプラズマを生成する工程と、前記除電用ガスのプラズマを維持しながら、リフトピンにより前記基板を上昇させ、前記静電チャックから離脱する工程と、前記吸着電極に負の直流電圧を印加する工程と、を有する基板離脱方法が提供される。【選択図】図5 |
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