HIGH POWER MMIC DEVICES HAVING BYPASSED GATE TRANSISTORS

To provide a monolithic microwave integrated circuits that include a substrate having a high power high frequency transistor having a unit cell-based structure and at least one additional circuit.SOLUTION: A transistor 300 includes a drain contact 336 extending in a first direction, a source contact 362 extending in the first direction in parallel to the drain contact 336, a gate finger 316 extending in the first direction between the source contact 362 and the drain contact 336, and a gate jumper 372 extending in the first direction. The transistor includes a plurality of loss property elements 380 electrically connected to the gate finger 316 and disposed at intervals. At least one of the loss property elements 380 is positioned between a first end and a second end of the gate finger 316 when the transistor is viewed from above.SELECTED DRAWING: Figure 8 【課題】単位セル・ベースの構造を有する高電力高周波トランジスタ及び少なくとも１つの追加回路を具備する基板を備えるモノリシック・マイクロ波集積回路を提供する。【解決手段】トランジスタ３００は、第１の方向に延在するドレイン接点３３６と、ドレイン接点３３６と並列に第１の方向に延在するソース接点３６２と、ソース接点３６２及びドレイン接点３３６の間で第１の方向に延在するゲート・フィンガ３１６と、第１の方向に延在するゲート・ジャンパ３７２と、を備える。ゲート・フィンガ３１６に電気的に接続され、間隔を空けて配置された複数の損失性要素３８０を備え、損失性要素３８０のうちの少なくとも１つは、トランジスタを上から見たときに、ゲート・フィンガ３１６の第１の端部と第２の端部との間にある。【選択図】図８