PHOTORESISTS AND METHODS FOR USE THEREOF

To provide photoresists that can exhibit good adhesion to underlying inorganic surfaces such as SiON, silicon oxide, silicon nitride and other inorganic surfaces and methods for use thereof.SOLUTION: A method for providing an ion-implanted semiconductor substrate comprises: providing a semiconductor substrate having coated thereon a relief image of a chemically-amplified positive-acting photoresist composition that comprises an adhesion-promoting component comprising one or more Si-containing groups, the adhesion-promoting component selected from the group consisting of n-butyltrimethoxysilane, n-octyltrimethoxysilane, 3-(pentafluorophenyl)propyltrimethoxysilane, 3-cyanopropyltrimethoxysilane and 1,8-bis(ethoxysilyl)octane, a resin that is substantially or completely free of phenyl or other aromatic groups, and a photoactive component; and applying ions to the substrate coated with the relief image.SELECTED DRAWING: None 【課題】ＳｉＯＮ、酸化ケイ素、窒化ケイ素および他の無機表面のような下地無機表面に対して良好な接着性を示しうるフォトレジストおよびその使用方法を提供する。【解決手段】１以上のＳｉ含有基を含む接着促進成分であって、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、３−（ペンタフルオロフェニル）プロピルトリメトキシシラン、３−シアノプロピルトリメトキシシラン及び１，８−ビス（トリエトキシシリル）オクタンからなる群から選択される接着促進成分、実質的にもしくは完全にフェニルもしくは他の芳香族基を含まない樹脂、および光活性成分；を含む化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物のレリーフ像を、半導体基体上にコーティングした半導体基体を提供し；並びにイオンを前記のレリーフ像がコーティングされた基体に適用する；ことを含む、イオン注入された半導体基体を提供する方法。【選択図】なし