ETCHING METHOD AND ETCHING DEVICE

To provide an etching method capable of etching a film containing Si and O with high selectivity, and an etching device.SOLUTION: An etching method for selectively etching a material containing Si and O includes the steps of: providing a substrate including the material containing Si and O inside of a chamber; repeating a first period which is started first and in which a basic gas is supplied and a second period which is started next and in which a fluorine-containing gas is supplied, and preventing at least a part of the second period from overlapping the first period; and heating and removing a reaction product generated by supplying the basic gas and the fluorine-containing gas.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】ＳｉとＯとを含有する膜を高い選択性でエッチングすることができるエッチング方法およびエッチング装置を提供する。【解決手段】ＳｉとＯとを含む材料を選択的にエッチングするエッチング方法は、ＳｉとＯとを含む材料を有する基板をチャンバー内に設ける工程と、先に開始される塩基性ガスを供給する第１の期間と、次に開始されるフッ素含有ガスを供給する第２の期間とを繰り返し、第２の期間の少なくとも一部は第１の期間とオーバーラップしないようにする工程と、塩基性ガスおよびフッ素含有ガスの供給により生成された反応生成物を加熱除去する工程とを有する。【選択図】図２