SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

To improve uniformity of etching processing in a technology for collectively etching a plurality of substrates.SOLUTION: According to the present disclosure, a substrate processing device includes a processing tank, a first discharge port group and a second discharge port group, a first change part, a second change part, and a control part. The processing tank immerses a plurality of substrates into processing liquid to perform etching processing. The first discharge port group and the second discharge port group are arranged below the plurality of substrates inside the processing tank to discharge the processing liquid to an inside of the processing tank. The first change part changes a flow rate of the processing liquid discharged from the first discharge port group. The second change part changes the flow rate of the processing liquid discharged from the second discharge port group. The control part controls the first change part and the second charge part during the etching processing, and performs flow rate change processing for increasing and decreasing the flow rate of the processing liquid discharged from the first discharge port group and the flow rate of the processing liquid discharged from the second discharge port group in respective different modes.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】複数の基板を一括してエッチングする技術において、エッチング処理の均一性を向上させる。【解決手段】本開示による基板処理装置は、処理槽と、第１の吐出口群および第２の吐出口群と、第１の変更部と、第２の変更部と、制御部とを備える。処理槽は、複数の基板を処理液に浸漬させてエッチング処理を行う。第１の吐出口群および第２の吐出口群は、処理槽の内部において複数の基板よりも下方に配置され、処理槽の内部に処理液を吐出する。第１の変更部は、第１の吐出口群から吐出される処理液の流量を変更する。第２の変更部は、第２の吐出口群から吐出される処理液の流量を変更する。制御部は、エッチング処理中、第１の変更部および第２の変更部を制御して、第１の吐出口群から吐出される処理液の流量と、第２の吐出口群から吐出される処理液の流量とをそれぞれ異なる態様で増加および減少させる流量変更処理を行う。【選択図】図２