SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE

To provide a semiconductor integrated circuit and a semiconductor storage device by which a data signal can be transferred properly from an input circuit to a circuit in a subsequent stage.SOLUTION: According to one embodiment, a semiconductor integrated circuit including an input circuit is provided. The input circuit includes a first amplifier and a second amplifier. The second amplifier is electrically connected to the first amplifier. The second amplifier includes a first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor, and a time constant additional circuit. The first transistor has a gate electrically connected to a first node of the first amplifier. The second transistor has a gate electrically connected to a second node of the first amplifier. The third transistor is disposed on a drain side of the first transistor. The fourth transistor is disposed on a drain side of the second transistor. The time constant additional circuit is electrically connected between a gate of the third transistor, and a drain of the third transistor and a gate of the fourth transistor.SELECTED DRAWING: Figure 5 【課題】一つの実施形態は、データ信号を入力回路から後段の回路へ適切に転送できる半導体集積回路及び半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】一つの実施形態によれば、入力回路を有する半導体集積回路が提供される。入力回路は、第１のアンプと第２のアンプとを有する。第２のアンプは、第１のアンプに電気的に接続されている。第２のアンプは、第１のトランジスタと第２のトランジスタと第３のトランジスタと第４のトランジスタと時定数付加回路とを有する。第１のトランジスタは、ゲートが第１のアンプの第１のノードに電気的に接続されている。第２のトランジスタは、ゲートが第１のアンプの第２のノードに電気的に接続されている。第３のトランジスタは、第１のトランジスタのドレイン側に配されている。第４のトランジスタは、第２のトランジスタのドレイン側に配されている。時定数付加回路は、第３のトランジスタのゲートと第３のトランジスタのドレイン及び第４のトランジスタのゲートとの間に電気的に接続されている。【選択図】図５