SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND LIQUID SUPPLY METHOD

To provide a substrate processing apparatus and liquid supply method, capable of minimizing generation of particles in a liquid supply unit.SOLUTION: A substrate processing apparatus 300 includes a housing 360 having a processing space for processing a substrate W therein; a support unit 340 of supp...

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Hauptverfasser: HONG YONG HOON, LEE SUL, CHOI MOONSIK, KIM YOUNG SU, JEON MYUNG A
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a substrate processing apparatus and liquid supply method, capable of minimizing generation of particles in a liquid supply unit.SOLUTION: A substrate processing apparatus 300 includes a housing 360 having a processing space for processing a substrate W therein; a support unit 340 of supporting the substrate in the processing space; a nozzle unit 380 for supplying liquid to the substrate placed on the support unit; a liquid supply unit 400 for supplying liquid to a nozzle; and a controller for controlling the liquid supply unit. The liquid supply unit includes a tank having an internal space for storing liquid and a first circulation line which circulates liquid stored in the internal space and on which a first heater is installed. The controller controls a first heater so that the first heater heats the liquid to such a first temperature that no particles are eluted in a liquid inside.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】液供給ユニット内でパーティクルの発生を最小にする基板処理装置及び液供給方法を提供する。【解決手段】基板処理装置300は、内部に基板Wを処理する処理空間を有するハウジング360と、処理空間で基板を支持する支持ユニット340と、支持ユニットに置かれる基板に液を供給するノズルユニット380と、ノズルに液を供給する液供給ユニット400と、液供給ユニットを制御する制御器と、を含む。液供給ユニットは、液を貯蔵する内部空間を有するタンクと、内部空間に貯蔵された液を循環させ、第1ヒーターが設置される第1循環ラインと、を含む。制御器は、第1ヒーターが液を液内部にパーティクルが溶出されない第1温度まで加熱するように第1ヒーターを制御する。【選択図】図2