SiC SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF SiC SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide an SiC semiconductor device that prevents protrusion of solder from an electrode pad and a manufacturing method of the same.SOLUTION: A semiconductor device 100 includes an SiC substrate 50 in which a diffusion layer 60 is formed on one main surface and an annular substrate uneven section 51 is pattern formed so as to surround the diffusion layer 60, an electrode film 70 which is formed to cover the diffusion layer 60 and the annular substrate uneven section 51 and in which a guard ring 71 having an annular uneven section is formed in at least a part containing an outer edge, and a protection film 80 which is formed to expose at least a part of the guard ring 71.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】電極パッド上からはんだがはみ出すことを防ぐＳｉＣ半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置１００において、一主面に拡散層６０が形成されており、当該拡散層６０を取り囲むように環状の基板凹凸部５１がパターン形成されたＳｉＣ基板５０と、拡散層６０及び環状の基板凹凸部５１を覆うように形成され、外縁を含む少なくとも一部に環状の凹凸部を有するガードリング７１が形成されている電極膜７０と、ガードリング７１の少なくとも１部が露出するように形成された保護膜８０と、を有する。【選択図】図２