MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR ELEMENT

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of reducing a risk of failure.SOLUTION: A manufacturing method of a present disclosure includes providing a semiconductor element precursor in which a metal electrode layer is formed on a gallium oxide based single crystal semiconductor layer, and on the surface of the gallium oxide based single crystal semiconductor layer, at least a part of an exposed area where the metal electrode layer is not laminated, a dopant is doped, performing an annealing process to the semiconductor element precursor, and by the annealing process, diffusing the dopant into a part of the gallium oxide based single crystal semiconductor layer where the metal electrode layer overlaps in a lamination direction, so as to form a Schottky junction between the gallium oxide based single crystal semiconductor layer and the metal electrode layer.SELECTED DRAWING: Figure 1E 【課題】本開示は、故障のリスクを低減することができる、半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】本開示の製造方法は、酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上に金属電極層が形成されており、かつ上記酸化ガリウム系単結晶半導体層の面上のうち、上記金属電極層が積層されていない露出部の少なくとも一部にドーパントがドープされている、半導体素子前駆体を提供すること、及び上記半導体素子前駆体にアニール処理を行い、それによって上記酸化ガリウム系単結晶半導体層のうち、上記金属電極層と積層方向に重複する部分に上記ドーパントを拡散させて、上記酸化ガリウム系単結晶半導体層と上記金属電極層との間にショットキー接合を形成すること、を含む、半導体素子の製造方法である。【選択図】図１Ｅ