SILICON WAFER AND MANUFACTURING METHOD OF THEM

To provide a silicon wafer capable of generating a thermal stable oxygen deposit without an influence to a customer heat processing, and provide a manufacturing method of the silicon wafer.SOLUTION: A manufacturing method of a silicon wafer, contains a heat treatment executed to a silicon wafer in a furnace under a non-oxidation atmosphere. Such a heat treatment contains a first heat treatment (S21) at a first temperature, and a second heat treatment (S22) at a second temperature, and the second temperature is lower than the first temperature. The first temperature (S21) is about 1 to 30 seconds under about 1100°C to 1200°C. The second temperature (S22) is about 2 to 10 minutes under about 800°C to 975°C.SELECTED DRAWING: Figure 3 【課題】顧客の熱処理に影響されない熱的に安定な酸素析出物を高密度に発生させることが可能なシリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】シリコンウェーハの製造方法は、非酸化性雰囲気の炉内でシリコンウェーハに施す熱処理を含む。そのような熱処理は、第１温度での第１熱処理（Ｓ２１）、次いで第２温度での第２熱処理（Ｓ２２）を含み、第２温度は第１温度よりも低い。第１温度（Ｓ２１）は、約１１００℃〜１２００℃で約１〜３０秒である。第２温度（Ｓ２２）は、約８００℃〜９７５℃で約２〜１０分間である。【選択図】図３