PN JUNCTION DIODE

To provide a pn junction diode in which a p-type NiO semiconductor and an n-type Ga2O3 semiconductor are directly joined to each other and that can suppress reduction in resistivity.SOLUTION: Disclosed is a pn junction diode in which a p-type NiO semiconductor and an n-type Ga2O3 semiconductor are directly joined to each other and a peripheral part of the junction surface between the p-type NiO semiconductor and the n-type Ga2O3 semiconductor is covered with an atmosphere blocking member. The pn junction diode of the present disclosure may further include a p-type semiconductor side electrode on the p-type NiO semiconductor side and an n-type semiconductor side electrode on the n-type Ga2O3 semiconductor side.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】本開示は、抵抗率の低下が抑制された、ｐ型ＮｉＯ半導体とｎ型Ｇａ２Ｏ３半導体とが直接に接合されているｐｎ接合ダイオードを提供する。【解決手段】本開示のｐｎ接合ダイオードは、ｐ型ＮｉＯ半導体とｎ型Ｇａ２Ｏ３半導体とが直接に接合されているｐｎ接合ダイオードであって、上記ｐ型ＮｉＯ半導体と上記ｎ型Ｇａ２Ｏ３半導体との接合面の周縁部が、大気遮断部材によって被覆されている、ｐｎ接合ダイオードである。本開示のｐｎ接合ダイオードは、ｐ型ＮｉＯ半導体側にｐ型半導体側電極を、ｎ型Ｇａ２Ｏ３半導体側にｎ型半導体側電極を更に有していることができる。【選択図】図１