PHOTORESIST STRIPPING SOLUTION

To provide a photoresist stripping solution having excellent storage stability while maintaining sufficient resist detachability.SOLUTION: The photoresist stripping solution contains a quaternary ammonium hydroxide (A), water (B), and an organic solvent (C). The organic solvent (C) is a mixture of the following organic solvents (C1), (C2) and (C3): an organic solvent (C1) having a polarity term (dP) of Hansen solubility parameters of 15.0 or more and less than 21.0 and a hydrogen bond term (dH) thereof of 6.0 or more and less than 14.0; an organic solvent (C2) having a polarity term (dP) of Hansen solubility parameters of 3.0 or more and less than 14.0 and a hydrogen bond term (dH) thereof of 8.0 or more and less than 31.0; and an organic solvent (C3) having a polarity term (dP) of Hansen solubility parameters of 3.0 or more and less than 8.0 and a hydrogen bond term (dH) thereof of 2.5 or more and less than 8.0.SELECTED DRAWING: None 【課題】充分なレジスト剥離性を維持しつつ、保存安定性に優れたフォトレジスト剥離液を提供する。【解決手段】水酸化第四級アンモニウム（Ａ）、水（Ｂ）、及び有機溶剤（Ｃ）を含むフォトレジスト剥離液であって、有機溶剤（Ｃ）が以下の有機溶剤（Ｃ１）、（Ｃ２）、及び（Ｃ３）：ハンセン溶解度パラメータの極性項（ｄＰ）が１５．０以上２１．０未満であり、水素結合項（ｄＨ）が６．０以上１４．０未満である有機溶剤（Ｃ１）、ハンセン溶解度パラメータの極性項（ｄＰ）が３．０以上１４．０未満であり、水素結合項（ｄＨ）が８．０以上３１．０未満である有機溶剤（Ｃ２）、ハンセン溶解度パラメータの極性項（ｄＰ）が３．０以上８．０未満であり、水素結合項（ｄＨ）が２．５以上８．０未満である有機溶剤（Ｃ３）の混合物である、フォトレジスト剥離液。【選択図】なし