SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

To provide a semiconductor device capable of suppressing degradation of an electro-static discharge (ESD) protection element, easily achieving a desired withstanding voltage and giving a sufficient ESD resistance, and to provide a method of manufacturing the same.SOLUTION: In a semiconductor device, a high-concentration diffusion layer 103 and a low-concentration diffusion layer 102 are arranged around a drain diffusion layer 106B of an ESD protection element. The high-concentration diffusion layer 103 is separated from a gate electrode 105, and an intermediate-concentration LDD diffusion layer 107B is arranged in a gap between the high-concentration diffusion layer 103 and the gate electrode 105. Heat treatment to the high-concentration diffusion layer 103 and the intermediate-concentration diffusion layer 107B is shortened to suppress variation in characteristics.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ＥＳＤ保護素子の劣化を抑制し、所望の耐圧を容易に実現するとともに十分なＥＳＤ耐性を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置において、ＥＳＤ保護素子のドレイン拡散層１０６Ｂの周りに高濃度拡散層１０３と低濃度拡散層１０２を配置する。高濃度拡散層１０３はゲート電極１０５から離間し、離間した隙間に中濃度のＬＤＤ拡散層１０７Ｂを配置する。高濃度拡散層１０３および中濃度拡散層１０７に対する熱処理を少なくすることで特性のばらつきを抑制する。【選択図】 図１