SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE CONTROL METHOD

To provide a semiconductor storage device capable of further reducing the proof pressure of a transistor connected to an anti-fuse element.SOLUTION: A semiconductor storage device according to the present embodiment includes an anti-fuse element and a first element. The anti-fuse element has one end connected to a first terminal to which a write voltage can be applied, and has a gate oxide film. The first element is connected to the other end of the anti-fuse element. When the write voltage which destroys the gate oxide film is applied to the first terminal and the gate oxide film is not destroyed, the first element supplies, to the other end, a second potential such that a potential difference between one end and the other end is less than a potential which destroys the gate oxide film.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】アンチヒューズ素子に接続されるトランジスタの耐圧をより低下させることが可能な半導体記憶装置を提供することである。【解決手段】本実施形態に係る半導体記憶装置は、アンチヒューズ素子と、第１素子とを備える。アンチヒューズ素子は、書き込み電圧を印加可能な第１端子に一端が接続され、ゲート酸化膜を有する。第１素子は、アンチヒューズ素子の他端に接続される。ゲート酸化膜を破壊する書き込み電圧が第１端子に印加され、且つゲート酸化膜を破壊しない場合に、第１素子は、一端と他端との間の電位差がゲート酸化膜を破壊する電位未満となる第２電位を他端に供給する。【選択図】図２