CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SYSTEM OF WORKPIECE, CALCULATION SYSTEM, METHOD FOR CREATING SIMULATION MODEL OF CHEMICAL MECHANICAL POLISHING

To provide a chemical mechanical polishing system capable of predicting a polishing result of a workpiece such as a wafer with accuracy and at high speed by using a physical model.SOLUTION: A chemical mechanical polishing system comprises a polishing apparatus 1 for polishing a workpiece W, and a calculation system 47. The calculation system 47 has a simulation model including a physical model that outputs an estimated polishing physical quantity including an estimated polishing rate of the workpiece W. The calculation system 47 is configured to input polishing conditions of the workpiece W into the simulation model, output the estimated polishing physical quantity of the workpiece W from the simulation model, and determine model parameters of the simulation model that bring the estimated polishing physical quantity closer to the measured polishing physical quantity of the workpiece W.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ウェーハなどのワークピースの研磨の結果を、物理モデルを使用して正確かつ高速に予測することができる化学機械研磨システムを提供する。【解決手段】化学機械研磨システムは、ワークピースＷを研磨する研磨装置１と、演算システム４７を備える。演算システム４７は、ワークピースＷの推定研磨レートを含む推定研磨物理量を出力する物理モデルを少なくとも含むシミュレーションモデルを有している。演算システム４７は、ワークピースＷの研磨条件をシミュレーションモデルに入力し、シミュレーションモデルからワークピースＷの推定研磨物理量を出力し、推定研磨物理量をワークピースＷの実測研磨物理量に近づけるシミュレーションモデルのモデルパラメータを決定するように構成されている。【選択図】図１