SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME

To increase the reliability of a semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device includes a semiconductor substrate, a semiconductor layer, a first insulating film, and a conductive film. The semiconductor layer is formed on the semiconductor substrate. In the semiconductor layer, a first groove that reaches the semiconductor substrate is formed. The first insulating film is formed on an inner side surface of the first groove so that a part of the semiconductor substrate is exposed in the first groove. The conductive film is connected electrically to the semiconductor substrate and is formed on the inner side surface of the first groove through the first insulating film. In a plan view, a first length of the first groove in an extension direction of the first groove is larger than a second length of the first groove in a width direction perpendicular to the extension direction and is 30 μm or less.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】半導体装置の信頼性を高める。【解決手段】半導体装置は、半導体基板、半導体層、第１絶縁膜および導電膜を有する。半導体層は、半導体基板上に形成されている。半導体層には、半導体基板に達する第１溝が形成されている。第１絶縁膜は、第１溝内に半導体基板の一部が露出するように、第１溝の内側面上に形成されている。導電膜は、半導体基板と電気的に接続されており、かつ第１絶縁膜を介して第１溝の内側面上に形成されている。平面視において、第１溝の延在方向における第１溝の第１長さは、延在方向に垂直な幅方向における第１溝の第２長さより大きく、かつ３０μｍ以下である。【選択図】図１