METHOD FOR ADHERING SOI WAFER

To provide a method for adhering, so that its diameter variance surely becomes a projection part of an active side wafer in the adhesion with an active side wafer having a diameter larger than that of a support side wafer even in the case where both diameter variances are small.SOLUTION: In a method, on an adhesion stage having a disc-like main stage 20 that adheres a support side wafer 1 with an active side wafer 3 having a diameter larger than that of the support side wafer and a sub stage 21 on an outer side in a radial direction of the main stage, the support side wafer is mounted, and is mounted over the sub stage and the main stage by lifting the sub stage to the main stage. Deflection which is inclined to the support side wafer and is recessed to a lower direction is applied. The active side wafer is mounted on the inclined support side wafer. The active side wafer is moved to an inclination direction of the support side wafer. An SOI wafer is adhered by a positioning step of fixing the active side wafer to the support side wafer at a mutual arrangement deviating the active side wafer to an inclination direction for the support side wafer.SELECTED DRAWING: Figure 5 【課題】支持側ウェーハより大径の活性側ウェーハとの貼合わせを、両者の径差が小さい場合であっても、その径差が確実に活性側ウェーハの突出部となる貼合わせ方法を提供する。【解決手段】方法は、支持側ウェーハ１及び支持側ウェーハより大径の活性側ウェーハ３との貼合わせを行う円盤状のメインステージ２０と、メインステージの半径方向外側にサブステージ２１と、を有する貼合わせステージの上に、支持側ウェーハを載置し、メインステージに対してサブステージを持ち上げてサブステージとメインステージとに跨がって載置し、支持側ウェーハに傾斜及び下方に凸となる撓みを与え、傾けた支持側ウェーハ上に活性側ウェーハを載置し、支持側ウェーハの傾斜方向へ活性側ウェーハを移動させ、支持側ウェーハに対して活性側ウェーハが傾斜方向へずれる相互配置にて、活性側ウェーハを支持側ウェーハに固定する位置決め工程により、ＳＯＩウェーハを貼合わせをる。【選択図】図５