SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

To provide a silicon carbide semiconductor device with long-term reliability by improving the adhesion between an ohmic electrode and a region formed on the ohmic electrode, and a manufacturing method for the silicon carbide semiconductor device.SOLUTION: A semiconductor device includes a semiconductor element 20 provided on a semiconductor substrate, and an ohmic electrode 21 provided on a back surface of the semiconductor element 20 and formed of nickel silicide and molybdenum carbide, or nickel silicide and titanium carbide. The ohmic electrode 21 includes a first region 30 with thick silicide, and a second region 31 with thin silicide. The ratio of the area of the second region 31 to the area of the ohmic electrode 21 is 10% or more and 30% or less.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】オーミック電極とオーミック電極上に形成される領域との密着性を向上させ、長期信頼性を有する炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板上に設けられた半導体素子２０と、半導体素子２０の裏面に設けられた、ニッケルシリサイドとモリブデンカーバイド、またはニッケルシリサイドとチタンカーバイドから構成されたオーミック電極２１と、を備える。オーミック電極２１は、シリサイドが厚い第１領域３０と、シリサイドが薄い第２領域３１とから構成され、オーミック電極２１の面積に対する第２領域３１の面積の比率は、１０％以上３０％以下である。【選択図】図２