SUBSTRATE PROCESSING METHOD

To provide a substrate processing method capable of quickly removing a removal target film.SOLUTION: A substrate processing method includes: a first holding step S2 of holding an end of a substrate using a first chuck pin group; a rotation step S4 of making the substrate rotate around a vertical rotation axis passing through the center of the substrate; a second holding step S6 of holding an end of the substrate using a second chuck pin group; a first etching step S5 of supplying an etchant to a first region on a principal surface of the substrate held using the first chuck pin group; and, after the first etching step S5, a second etching step S8 of supplying an etchant to a second region differing from the first region on the principal surface of the substrate held using the second chuck pin group. In a radial direction of the substrate, the second region is closer to the rotation axis than the first region.SELECTED DRAWING: Figure 4 【課題】速やかに除去対象膜を除去できる基板処理方法を提供する。【解決手段】第１保持工程Ｓ２において、基板の端部を第１チャックピン群で保持する。回転工程Ｓ４において、基板の中心を通る鉛直方向の回転軸を中心に基板を回転させる。第２保持工程Ｓ６において、基板の端部を第２チャックピン群で保持する。第１エッチング工程Ｓ５において、第１チャックピン群で保持された基板の主面上の第１領域にエッチング液を供給する。第１エッチング工程Ｓ５の後の第２エッチング工程Ｓ８において、第２チャックピン群で保持された基板の主面上の第１領域と異なる第２領域にエッチング液を供給する。第２領域は、基板の径方向において、第１領域よりも回転軸に近い。【選択図】図４