MANUFACTURING METHOD FOR P-TYPE GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR

To manufacture a p-type Group-III nitride semiconductor by ion implantation of p-type impurities without the formation of an unintended i-type region.SOLUTION: A through film 12 is formed on a semiconductor layer 11. Next, Mg ions are implanted. Mg ions are implanted in a region of the through film 12 and the semiconductor layer 11, so that an ion implantation region 15 is formed. The ion implantation is performed so that the position of the implantation peak comes in the through film 12. Next, a protective film 16 is formed on the through film 12. Next, annealing is performed to heat the through film 12 and the semiconductor layer 11. Thus, Mg is diffused from the through film 12 to the semiconductor layer 11 and Mg in the semiconductor layer 11 is activated. A region of the ion implantation region 15 that is in the semiconductor layer 11 becomes a p-type region 17. Then, the through film 12 and the protective film 16 are removed.SELECTED DRAWING: Figure 5 【課題】ｐ型不純物のイオン注入によりｐ型III 族窒化物半導体を製造する場合に、意図しないｉ型領域が形成されないようにする。【解決手段】半導体層１１上にスルー膜１２を形成する。次に、Ｍｇをイオン注入する。スルー膜１２および半導体層１１の領域にＭｇイオンが注入され、イオン注入領域１５が形成される。イオン注入は、注入ピークの位置がスルー膜１２中になるようにする。次に、スルー膜１２上に保護膜１６を形成する。次に、アニールを行い、スルー膜１２や半導体層１１を加熱する。これにより、スルー膜１２から半導体層１１へとＭｇを拡散させるとともに、半導体層１１中のＭｇの活性化を行う。イオン注入領域１５のうち、半導体層１１中の領域は、ｐ型領域１７となる。次に、スルー膜１２および保護膜１６を除去する。【選択図】図５