MIS SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

To provide a MIS semiconductor device which improves mobility by means of a diamond semiconductor, and a manufacturing method thereof.SOLUTION: The present invention relates to a p-type MIS semiconductor device 101 in which a semiconductor layer 22, an insulator layer 23 and a conductor layer 24 are laminated successively. In the semiconductor layer, a portion in contact with the insulator layer consists of hydrogen terminated diamond at least partially, and a threshold voltage is a negative voltage. It is preferable that the insulator layer consists of boron nitride. A manufacturing method includes: forming a semiconductor layer of which the first principal surface is terminated with hydrogen; forming an insulator layer consisting of boron nitrogen in contact with hydrogen terminated diamond layer; and forming a conductor layer on at least a portion of the insulator layer. An atmospheres in forming the hydrogen terminated semiconductor layer, in forming the insulator layer and between both the formations is any one of vacuum, hydrogen gas, inert gas and hydrogen gas to which inert gas is added.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】ダイヤモンド半導体による移動度の高いＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体層２２と絶縁体層２３と導電体層２４がこの順で積層されたｐ型のＭＩＳ型半導体装置１０１であって、半導体層は少なくとも絶縁体層と接する部分の一部が水素終端されたダイヤモンドからなり、閾値電圧が負電圧である。絶縁体層は、窒化ホウ素からなるのが好ましい。製造方法は、第１主表面が水素で終端された半導体層を形成することと、水素終端ダイヤモンド層に接して窒化ホウ素からなる絶縁体層を形成することと、絶縁体層の少なくとも一部の上に導電体層を形成することと、を含む。水素終端半導体層を形成すること、絶縁体層を形成すること及びその両者の間の雰囲気は、真空、水素ガス、不活性ガス及び不活性ガスが添加された水素ガスの何れかとする。【選択図】図１