SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE

To provide a technique for preventing a lower layer from being etched to inside a layer located above it in a multilayer film.SOLUTION: In the substrate processing method, an etching process is performed for etching a multilayer film to a peripheral edge of a substrate in which the multilayer film including a first layer and a second layer located above the first layer is formed. The substrate processing method comprises first to fifth steps. In the first step, the substrate is held. In the second step, the rotation of the substrate around a rotation axis running along a vertical direction is started. In the third step, an etchant for etching the multilayer film is ejected from a nozzle and deposited on the substrate at a position which is a given width distant from the peripheral edge of the substrate. In the fourth step, determination is made about whether the first layer or a third layer directly under the multilayer film is exposed or not. If it is determined that the first layer or the third layer is exposed, a depositing position of the etchant is shifted toward the peripheral edge of the substrate.SELECTED DRAWING: Figure 8 【課題】多層膜のうち下層がその上層よりも内側にエッチングされることを抑制できる技術を提供する。【解決手段】第１層と、第１層よりも上層の第２層とを含む多層膜が形成された基板の周縁部に対して、多層膜をエッチングするエッチング処理を行う基板処理方法であって、第１工程から第５工程を備える。第１工程では、基板を保持する。第２工程では、鉛直方向に沿う回転軸線のまわりに基板の回転を開始する。第３工程では、多層膜をエッチングするエッチング液をノズルから吐出して、基板の周縁よりも所定幅だけ内側の位置に着液させる。第４工程では、第１層、または、多層膜の直下の第３層が露出したか否かを判断する。第１層、または、第３層が露出したと判断したときに、エッチング液の着液位置を基板の周縁側に移動させる。【選択図】図８