SEMICONDUCTOR DEVICE
To reduce a variation ΔVth in threshold voltage in a thin-film transistor (TFT) formed of an oxide semiconductor.SOLUTION: A semiconductor device has a TFT formed of an oxide semiconductor. The oxide semiconductor has a channel area 104, a source area 1042, a drain area 1043, and an LDD (lightly dop...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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