SEMICONDUCTOR DEVICE

To reduce a variation ΔVth in threshold voltage in a thin-film transistor (TFT) formed of an oxide semiconductor.SOLUTION: A semiconductor device has a TFT formed of an oxide semiconductor. The oxide semiconductor has a channel area 104, a source area 1042, a drain area 1043, and an LDD (lightly doped drain) area 1041 between the channel area and the source area and drain area. The resistivity of the LDD area 1041 is smaller than the resistivity of the channel area and larger than the resistivity of the source area or the drain area. A source electrode 108 is formed superimposed on the source area 1042, and a drain electrode 109 is formed superimposed on the drain area 1043. The thickness of the LDD area 1041 of the oxide semiconductor is larger than the thickness of the channel area 104.SELECTED DRAWING: Figure 8 【課題】酸化物半導体による薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）において、閾値電圧の変動ΔＶｔｈを抑える。【解決手段】酸化物半導体によるＴＦＴを有する半導体装置であって、前記酸化物半導体は、チャネル領域１０４、ソース領域１０４２、ドレイン領域１０４３と、前記チャネル領域と前記ソース領域及び前記ドレイン領域の間にＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域１０４１を有し、前記ＬＤＤ領域１０４１の抵抗率は、前記チャネル領域の抵抗率よりも小さく、前記ソース領域あるいは前記ドレイン領域の抵抗率よりも大きく、ソース電極１０８は前記ソース領域１０４２と重複して形成され、ドレイン電極１０９は前記ドレイン領域１０４３と重複して形成され、前記酸化物半導体の前記ＬＤＤ領域１０４１の厚さは、前記チャネル領域１０４の厚さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。【選択図】図８