DEVICE AND METHOD FOR TESTING POWER SEMICONDUCTOR

To reduce the time of a reverse recovery characteristics test and an avalanche test.SOLUTION: A circuit includes a power source 11, a switch element 14, and an inductor L, and runs a reverse recovery test of a test target device DUT. The circuit also includes an inductor Lp between the switch element 14 and the test target device DUT. A reverse recovery test is run on a parasitic diode 21 of the test target device DUT by turning off the test target device DUT and by turning on and turning off the switch element 14 several times. An avalanche test is run during the reverse recovery test by turning on the test target device DUT by a signal generated according to signals Ton and Toff output from a timer 19. The time for the test can be reduced by running the avalanche test during the reverse recovery test.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】逆回復特性試験およびアバランシェ試験に要する試験時間を短縮する。【解決手段】電源１１と、スイッチ用素子１４と、インダクタＬとを備えて被試験デバイスＤＵＴの逆回復試験を行う回路において、スイッチ用素子１４と被試験デバイスＤＵＴとの間にインダクタＬｐを備える。被試験デバイスＤＵＴをオフにしてスイッチ用素子１４を何回かターンオンおよびターンオフすることで、被試験デバイスＤＵＴの寄生ダイオード２１の逆回復試験を行う。その試験の間に、タイマ１９が出力する信号Ｔｏｎ，Ｔｏｆｆに基づいて発生した信号で被試験デバイスＤＵＴをオンすることでアバランシェ試験を行う。逆回復試験の間にアバランシェ試験を行うことで、試験時間を短縮することができる。【選択図】図１