PREHEAT PROCESS FOR MILLISECOND ANNEAL SYSTEM

To provide systems, methods, devices, and processes for thermally treating a semiconductor substrate.SOLUTION: A preheat process includes: receiving a substrate on a wafer support plate in a processing chamber of a millisecond anneal system; obtaining one or more temperature measurements of the wafer support plate using a temperature sensor; and applying a preheat recipe to heat the wafer support plate based at least in part on the temperature of the wafer support plate. Another preheat process includes: obtaining one or more temperature measurements from a temperature sensor having a field of view of a wafer support plate in a millisecond anneal system; and applying a pulse-controlled preheat recipe to heat the wafer support plate in the millisecond anneal system based at least in part on the one or more temperature measurements.SELECTED DRAWING: Figure 15 【課題】半導体基板を熱処理するための、システム、方法、装置およびプロセスを提供する。【解決手段】予熱プロセスにおいて、、ミリ秒アニールシステムのプロセスチャンバにおけるウェハ支持プレートに基板を収容すること、温度センサを使用することによって、ウェハ支持プレートの１つまたは複数の温度測定値を取得すること、ウェハ支持プレートの温度に少なくとも部分的に基づいて、ウェハ支持プレートを加熱するために予熱レシピを適用すること、を含む。予熱プロセスが、ミリ秒アニールシステムにおけるウェハ支持プレートの視野を有している温度センサから１つまたは複数の温度測定値を取得すること、１つまたは複数の温度測定値に少なくとも部分的に基づいて、ミリ秒アニールシステムにおけるウェハ支持プレートを加熱するためにパルス制御式予熱レシピを適用すること、を含む。【選択図】図１５