SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE

To provide a technique capable of appropriately ensuring both of rewritable frequency of data and a retention period of data when using a magnetoresistive memory in a semiconductor storage device.SOLUTION: A semiconductor storage device 20 includes a first magnetoresistive memory 21 and a second mag...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: NARUSE MINENOBU
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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