SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

To suppress the amount of inert gas used and suppress the oxidation of a substrate in a chamber.SOLUTION: A substrate processing apparatus (100) includes a chamber (110), a substrate holding unit (120), a fan filter unit (130), a shielding member (140), a moving unit (148), and a gas supply unit (160). The fan filter unit (130) is installed above the chamber (110) and supplies gas into the chamber (110). The gas supply unit (160) supplies inert gas from a nozzle (162) provided in the shielding member (140). When the shielding member (140) is located at a retracted position away from the substrate holding unit (120), an upper region including the fan filter unit (130) and a lower region including the substrate holding unit (120) are separated by the chamber (140) and the shielding member (140).SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】不活性ガスの使用量を抑制するとともにチャンバー内における基板の酸化を抑制する。【解決手段】基板処理装置（１００）は、チャンバー（１１０）と、基板保持部（１２０）と、ファンフィルタユニット（１３０）と、遮蔽部材（１４０）と、移動部（１４８）と、ガス供給部（１６０）とを備える。ファンフィルタユニット（１３０）は、チャンバー（１１０）の上部に設置され、チャンバー（１１０）内に気体を供給する。ガス供給部（１６０）は、遮蔽部材（１４０）に設けられたノズル（１６２）から不活性ガスを供給する。遮蔽部材（１４０）が基板保持部（１２０）から離れた退避位置に位置する場合、ファンフィルタユニット（１３０）を含む上方領域と基板保持部（１２０）を含む下方領域とは、チャンバー（１４０）および遮蔽部材（１４０）によって分離される。【選択図】図１