SEMICONDUCTOR DEVICE
To provide a semiconductor device that can suppress an increase in physique while improving the output.SOLUTION: A semiconductor device 20 includes a heat dissipation member 40, and a plurality of switching elements 50 in which one of main electrodes is electrically connected to the heat dissipation...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; jpn |
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Zusammenfassung: | To provide a semiconductor device that can suppress an increase in physique while improving the output.SOLUTION: A semiconductor device 20 includes a heat dissipation member 40, and a plurality of switching elements 50 in which one of main electrodes is electrically connected to the heat dissipation member and which are connected in parallel with each other. The switching element includes a first switching element 51 formed on a Si substrate and a second switching element 52 formed on the SiC substrate. The first switching element and the second switching element are driven on at least for periods of time different from each other. The switching element includes at least a plurality of first switching elements or a plurality of second switching elements, and the first switching elements and the second switching elements are alternately arranged in an X direction.SELECTED DRAWING: Figure 4
【課題】出力を向上しつつ体格の増大を抑制できる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置20は、放熱部材40と、主電極のひとつが放熱部材に電気的に接続されて互いに並列接続された複数のスイッチング素子50を備えている。スイッチング素子は、Si基板に形成された第1スイッチング素子51と、SiC基板に形成された第2スイッチング素子52を含んでいる。第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子は、少なくとも互いに異なる期間においてオン駆動する。スイッチング素子は、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子の少なくとも一方を複数含んでおり、第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子が、X方向において交互に配置されている。【選択図】図4 |
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