DEVICE OF ION IMPLANTER SYSTEM OF CURVED ELECTRODE AFTER SCANNING

To provide an ion implanter in which a scan electrode of the ion implanter is allowed for the use of higher applied voltage.SOLUTION: A device includes: an ion beam generator 102 to provide an ion beam 104; a scanning system to receive the ion beam, the scanning system including first and second scan plates 202, 204 positioned on opposite sides of the ion beam and generating a scanned beam 212 from the ion beam, the scanned beam having a scan origin and an apparent scan origin; and an electrode 206 to receive the scanned beam, at least a portion of the electrode having a curved shape to substantially maintain a position of the apparent scan origin.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】イオン注入装置のスキャン電極の印加電圧の高圧化を可能にする。【解決手段】装置はイオンビーム１０４を供給するイオンビーム発生器１０２を含み、イオンビームを受けるスキャニングシステムであって、イオンビームの向かい合った側に位置付けられる第１及び第２のスキャンプレート２０２，２０４であって、イオンビームからスキャンビーム２１２を生成し、スキャンビームはスキャン源及び見掛けのスキャン源を有する、第１及び第２のスキャンプレートを含み、電極２０６は、スキャンビームを受け、電極の少なくとも１部は、見掛けのスキャン源の位置を実質的に維持するための湾曲形状を有する。【選択図】図２