NEGATIVE ION SOURCE DEVICE

To enhance the generation efficiency of negative ions.SOLUTION: A negative ion source device 100 includes: a chamber 108; a gas supply source 122 as a raw material gas supply unit for supplying a raw material gas into the chamber 108; a plasma generator 112 located on one end side of the chamber 108...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: AOKI YASUSHI, KITAMI NAOHISA
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:To enhance the generation efficiency of negative ions.SOLUTION: A negative ion source device 100 includes: a chamber 108; a gas supply source 122 as a raw material gas supply unit for supplying a raw material gas into the chamber 108; a plasma generator 112 located on one end side of the chamber 108 and for generating plasma using the supplied raw material gas; a cesium supply source 118 and a cesium introduction unit 114 serving as an accelerating substance supply unit for supplying an accelerating substance for accelerating generation of negative ions into the chamber; a plasma electrode 116 located on the other end side of the chamber 108 and having a through-hole through which the negative ions generated in the chamber 108 can be drawn out of the chamber; and a cooling unit 130 provided outside the chamber 108 and for cooling the chamber 108. The cooling unit 130 cools the chamber 108 by forming a temperature gradient in which the temperature on one end side of the chamber 108 is higher than that on the other end side of the chamber 108.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】負イオンの生成効率を向上する。【解決手段】負イオン源装置100は、チャンバ108と、チャンバ108内に原料ガスを供給する原料ガス供給部としてのガス供給源122と、チャンバ108の一端側に位置すると共に、供給された原料ガスを用いてプラズマを生成するプラズマ生成部112と、負イオンの生成を促進する促進物質を前記チャンバ内に供給する促進物質供給部としてのセシウム供給源118及びセシウム導入部114と、チャンバ108の他端側に位置していると共に、チャンバ108内で生成された負イオンをチャンバ外に引き出すことが可能な貫通孔を有するプラズマ電極116と、チャンバ108の外側に設けられてチャンバ108を冷却する冷却部130と、を備え、冷却部130は、チャンバ108の他端側と比べて一端側の温度が高い温度勾配を形成してチャンバ108を冷却する。【選択図】図2