SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD

To provide a substrate processing apparatus capable of restraining production of carbonate, by reaction of alkaline treatment liquid and carbon dioxide.SOLUTION: A substrate processing apparatus 100 processes a substrate W by alkaline treatment liquid. The substrate processing apparatus 100 includes...

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Hauptverfasser: ANO SEIJI, KIMURA MASAHIRO
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a substrate processing apparatus capable of restraining production of carbonate, by reaction of alkaline treatment liquid and carbon dioxide.SOLUTION: A substrate processing apparatus 100 processes a substrate W by alkaline treatment liquid. The substrate processing apparatus 100 includes a processing part 1, a supply unit 30, a recovery unit 40, and an inert gas supply part 60. The processing part 1 processes the substrate W. The supply unit 30 has a first housing part 31. The first housing part 31 houses the alkaline treatment liquid supplied to the processing part 1. The recovery unit 40 has a second housing part 41. The second housing part 41 houses the alkaline treatment liquid recovered from the processing part 1. The inert gas supply part 60 supplies inert gas to at least one of the first housing part 31 and the second housing part 41.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】アルカリ処理液が二酸化炭素と反応して、炭酸塩が生成されることを抑制することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置100は、アルカリ処理液によって基板Wを処理する。基板処理装置100は、処理部1と、供給ユニット30と、回収ユニット40と、不活性ガス供給部60とを備える。処理部1は、基板Wを処理する。供給ユニット30は、第1収容部31を有する。第1収容部31は、処理部1に供給するアルカリ処理液を収容する。回収ユニット40は、第2収容部41を有する。第2収容部41は、処理部1から回収したアルカリ処理液を収容する。不活性ガス供給部60は、第1収容部31および第2収容部41の少なくとも一方に不活性ガスを供給する。【選択図】図2