APPARATUS AND METHODS FOR PLUG FILL DEPOSITION IN 3-D NAND APPLICATIONS
To provide an apparatus and method for forming a 3-D NAND device.SOLUTION: The method of forming the 3-D NAND device may include forming a plug fill and a void. Advantages gained by the apparatus and method may include a lower cost, a higher throughput, little contamination of the device, little dam...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; jpn |
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| Zusammenfassung: | To provide an apparatus and method for forming a 3-D NAND device.SOLUTION: The method of forming the 3-D NAND device may include forming a plug fill and a void. Advantages gained by the apparatus and method may include a lower cost, a higher throughput, little contamination of the device, little damage during etching steps, and structural integrity to ensure formation of a proper stack of oxide-nitride bilayers.SELECTED DRAWING: Figure 2-1
【課題】３−Ｄ ＮＡＮＤデバイスを形成するための装置および方法が開示されている。【解決手段】３−Ｄ ＮＡＮＤデバイスを形成する方法は、プラグ充填および空隙を形成することを含みうる。装置および方法によって得られる利点は、低コスト、より高いスループット、ほとんどないデバイスの汚染、ほとんどないエッチングステップ中の損傷、および適切な酸窒化二重層のスタックの形成を確実にするための構造的完全性を含みうる。【選択図】図２−１ |
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