SOLAR CELL

To provide a method for manufacturing a high efficiency solar cell.SOLUTION: A manufacturing method includes to prepare a thin dielectric layer 206 and a doped polysilicon layer 250 on the reverse face of a silicon substrate 202. Subsequently, both a high quality oxide layer 212 and a doped wide bandgap semiconductor layer 260 may be formed on the back and front of the silicon substrate 202. A metallization process for plating a metal finger onto the polysilicon layer 250 doped via a contact opening may be executed next. The plated metal finger can form a first metal grid wire 290. A second metal grid wire 292 can be formed by directly plating metal to an emitter region on the reverse face of the silicon substrate 202, and thereby a contact opening for the second metal grid wire 292 is not required.SELECTED DRAWING: Figure 18 【課題】効率の高い太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】製造方法は、シリコン基板２０２の裏面上に薄い誘電体層２０６及びドーピングされたポリシリコン層２５０を準備することを含む。続いて、高品質の酸化物層２１２及びドーピングされたワイドバンドギャップ半導体層２６０が、どちらもシリコン基板２０２の裏面及び前面上に形成され得る。コンタクト開口部を介してドーピングされたポリシリコン層２５０上へ金属フィンガーをメッキするメタライゼーションプロセスが、次に実行され得る。メッキされた金属フィンガーは、第１金属グリッド線２９０を形成することができる。第２金属グリッド線２９２を、シリコン基板２０２の裏面上のエミッタ領域に金属を直接メッキすることによって形成することができ、第２金属グリッド線２９２のためのコンタクト開口部を不要とする。【選択図】図１８