NITROGEN ATMOSPHERE LASER BONDING DEVICE

To provide a nitrogen atmosphere laser bonding device capable of bonding a semiconductor chip to a target by heating a solder bump or a solder ball of a semiconductor chip at high speed in a nitrogen atmosphere.SOLUTION: A nitrogen atmosphere laser bonding device comprises: a target attachment unit...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: ANH GUN SIK, KO YOUN SUNG
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To provide a nitrogen atmosphere laser bonding device capable of bonding a semiconductor chip to a target by heating a solder bump or a solder ball of a semiconductor chip at high speed in a nitrogen atmosphere.SOLUTION: A nitrogen atmosphere laser bonding device comprises: a target attachment unit to which a target in which a plurality of semiconductor chips are arranged is attached; a laser head that irradiates a laser beam to the plurality of semiconductor chips so that the plurality of semiconductor chips arranged in the target attached to the target attachment unit can be bonded to the target; and a nitrogen supply unit that has a nitrogen exhaust port formed on a transmission member so as to supply a nitrogen gas to the target attached to the transmission member arranged at the circumference of the target attachment unit and the target attached to the target attachment unit.SELECTED DRAWING: Figure 2 【課題】窒素雰囲気中で半導体チップの半田バンプまたは半田ボールを速く加熱して半導体チップをターゲットにボンディングすることができる窒素雰囲気レーザーボンディング装置を提供する。【解決手段】本発明に係る窒素雰囲気レーザーボンディング装置は、複数の半導体チップが配置されたターゲットが取り付けられるターゲット取付ユニットと、前記ターゲット取付ユニットに取り付けられた前記ターゲットに配置された複数の半導体チップが前記ターゲットにボンディングできるように、前記複数の半導体チップにレーザー光を照射するレーザーヘッドと、前記ターゲット取付ユニットの周囲に配置される伝達部材、及び前記ターゲット取付ユニットに取り付けられたターゲットに窒素ガスを供給するように前記伝達部材に形成される窒素排出口を備える窒素供給ユニットとを含むことを特徴とする。【選択図】図2