SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

To improve reliability of a semiconductor device.SOLUTION: An insulation film (PA) is formed so as to cover a source electrode SE and a gate electrode GE, and an opening part (OPS), through which a part of the source electrode SE is exposed, and an opening part (OPG), through which a part of the gate electrode GE is exposed, are formed in the insulation film (PA). A plating layer PLS is formed on the source electrode SE exposed through the opening part (OPS), and a plating layer PLG is formed on the gate electrode GE exposed through the opening part (OPG). A source pad (PDS) is formed by the part of the source electrode SE exposed through the opening part (OPS) and the plating layer PLS, and a gate pad (PDG) is formed by the part of the gate electrode GE exposed through the opening part (OPG) and the plating layer PLG. An area of the opening part (OPG) for the gate pad is smaller than an area of the opening part (OPS) for the source pad, and a thickness of the plating layer PLG is thicker than a thickness of the plating layer PLS.SELECTED DRAWING: Figure 14 【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】ソース電極ＳＥおよびゲート電極ＧＥを覆うように絶縁膜（ＰＡ）が形成され、その絶縁膜（ＰＡ）に、ソース電極ＳＥの一部を露出する開口部（ＯＰＳ）とゲート電極ＧＥの一部を露出する開口部（ＯＰＧ）とが形成されている。開口部（ＯＰＳ）から露出するソース電極ＳＥ上には、めっき層ＰＬＳが形成され、開口部（ＯＰＧ）から露出するゲート電極ＧＥ上には、めっき層ＰＬＧが形成されている。開口部（ＯＰＳ）から露出する部分のソース電極ＳＥとめっき層ＰＬＳとにより、ソースパッド（ＰＤＳ）が形成され、開口部（ＯＰＧ）から露出する部分のゲート電極ＧＥとめっき層ＰＬＧとにより、ゲートパッド（ＰＤＧ）が形成される。ゲートパッド用の開口部（ＯＰＧ）の面積は、ソースパッド用の開口部（ＯＰＳ）の面積よりも小さく、めっき層ＰＬＧの厚さは、めっき層ＰＬＳの厚さよりも厚い。【選択図】図１４