MANUFACTURING METHOD OF MULTILAYER SUBSTRATE
To realize a multilayer substrate in which interlayer exfoliation resulting from residual gas in the substrate is inhibited, while ensuring bond strength of the composition surface of insulation base material layers.SOLUTION: A manufacturing method of multilayer substrate includes a conductor patter...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | To realize a multilayer substrate in which interlayer exfoliation resulting from residual gas in the substrate is inhibited, while ensuring bond strength of the composition surface of insulation base material layers.SOLUTION: A manufacturing method of multilayer substrate includes a conductor patterning step, a gas vent part formation step, a lamination step, and a heating press step. The conductor patterning step is a step of forming a conductor pattern (conductors 31-34) on any one of insulation base material layers 11a-14a. The gas vent part formation step is a step of forming gas vent parts NR11-NR14 on the insulation base material layer 12a. When viewing from lamination direction (Z axis direction) of the insulation base material layers 11a-14a, the gas vent parts NR11-NR14 partially overlap a planar conductor (conductor 32) of largest area, and extend from the inside of the planar conductor to reach the outside. The lamination step is a step of laminating multiple insulation base material layers 11a-14a, and the heating press step is a step of forming a backing material 10A by heat pressing the insulation base material layers 11a-14a.SELECTED DRAWING: Figure 1
【課題】絶縁基材層同士の接合面の接合強度を確保しつつ、基材内の残留ガスに起因する層間剥離を抑制した多層基板を実現する。【解決手段】多層基板の製造方法は、導体パターン形成工程と、ガス抜き部形成工程と、積層工程と、加熱プレス工程とを備える。導体パターン形成工程は、絶縁基材層11a〜14aのいずれかに導体パターン(導体31〜34)を形成する工程である。ガス抜き部形成工程は、絶縁基材層12aにガス抜き部NR11〜NR14を形成する工程である。ガス抜き部NR11〜NR14は、絶縁基材層11a〜14aを積層したときに積層方向(Z軸方向)から視て、最も面積の大きな面状導体(導体32)に部分的に重なり、且つ、面状導体の内側から外側まで達するように延びる。積層工程は複数の絶縁基材層11a〜14aを積層する工程であり、加熱プレス工程は絶縁基材層11a〜14aを加熱プレスして基材10Aを形成する工程である。【選択図】図1 |
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