SELECTIVE, ELECTROCHEMICAL ETCHING OF SEMICONDUCTOR

To provide a method for selectively removing a heavily doped semiconductor layer.SOLUTION: A method hereof is a one for facilitating fabricating a semiconductor structure. The method comprises the steps of: a step of providing a multilayer structure including a semiconductor layer, the semiconductor layer including a dopant and having an increased conductivity; and a step of selectively increasing, by using an electrochemical processing, a porosity of the semiconductor layer, at least in part, the selectively increasing step including a step of utilizing the increased conductivity of the semiconductor layer and a step of removing, at least in part, the semiconductor layer with the selectively increased porosity from the multilayer structure. The step of selectively increasing the porosity includes the step of selectively anodically oxidizing, at least in part, the semiconductor layer of the multilayer structure.SELECTED DRAWING: None 【課題】高濃度ドープ半導体層を選択的に除去するための方法を提供する。【解決手段】半導体構造を製造することを容易にするための方法であって、半導体層を含む多層構造を設けるステップであって、半導体層が、ドーパントを含みそして増加した導電率を有する前記ステップと、少なくとも部分的に、半導体層の気孔率を、電気化学処理を使用して、選択的に増加させるステップであって、気孔率を選択的に増加させるステップが、半導体層の増加した導電率を利用する前記ステップと、多層構造から選択的に増加された気孔率を持つ半導体層を、少なくとも部分的に、除去するステップとを含む。気孔率を選択的に増加させるステップは、多層構造の半導体層を、少なくとも部分的に、選択的に陽極酸化するステップを含む。【選択図】なし