POWER-CONVERSION DEVICE

To effectively avoid a short circuit failure when stopping an operation.SOLUTION: The power-conversion device executes the steps below in a restart sequence for starting an operation again after operation stop. (1)In the first step, the device switches from a state in which nMOS transistors Q1 to Q4...

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Hauptverfasser: KAWANO SHINGO, IKENARI TATSUYA
Format: Patent
Sprache:eng ; jpn
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Beschreibung
Zusammenfassung:To effectively avoid a short circuit failure when stopping an operation.SOLUTION: The power-conversion device executes the steps below in a restart sequence for starting an operation again after operation stop. (1)In the first step, the device switches from a state in which nMOS transistors Q1 to Q4 are all non-conductive to a state in which the nMOS transistors Q3 and Q4 are put in a conducting condition alternately. After that, the device increases the duty ratio of the nMOS transistor Q3 with time while decreasing the duty ratio of the nMOS transistor Q4 with time. (2)In the second step, the device puts the nMOS transistor Q1 and the nMOS transistor Q4 in a regular non-conducting state, and keeps the nMOS transistor Q3 in a regular conducting state (ON). (3)In the third step, the device increases the duty ratio of the nMOS transistor Q2 with time. (4)In the fourth step, the devices goes back to a normal operation.SELECTED DRAWING: Figure 1 【課題】動作が停止した場合において短絡故障を効果的に回避する。【解決手段】この電力変換装置は、動作停止後に再度動作を開始させるための再起動シーケンスにおいて、次の動作を実行する。(1)第1段階:nMOSトランジスタQ1〜Q4が全て非導通の状態から、nMOSトランジスタQ3及びQ4を交互に導通状態となる状態に切り替える。その後nMOSトランジスタQ3のデューティ比を時間の経過に従って増加させる一方、nMOSトランジスタQ4のデューティ比を時間の経過に従って減少させる。(2)第2段階:nMOSトランジスタQ1及びnMOSトランジスタQ4を常時非導通状態とし、nMOSトランジスタQ3は常時導通状態(ON)を維持する。(3)第3段階:nMOSトランジスタQ2のデューティ比を時間の経過に従って増加させる。(4)第4段階:通常動作に復帰する。【選択図】図1