PLASMA CHEMICAL PROCESSING OF WAFER DIES

To provide a methodology for providing singulated wafers of high strength and reduced damage, which uses low power and an apparatus having relatively low complexity.SOLUTION: A method of processing wafer dies at least partially separated by cut-lines formed in a surface of the wafer comprises generating plasma, e.g., using an RF source, and localizing the reaction of the plasma with the wafer surface at vicinities of the cut-lines so as to etch the wafer in the vicinities of the cut-lines.SELECTED DRAWING: Figure 4 【課題】低出力、および比較的複雑さの少ない装置を用いる、高強度で損傷の少ないシンギュレートされたウエハを提供するための方法論を提供すること。【解決手段】ウエハの表面に形成されたカットラインによって少なくとも部分的に分離されたウエハダイを処理する方法が、たとえばＲＦ源を用いて、プラズマを生成するステップと、カットラインの近傍においてウエハをエッチングするように、カットラインの近傍でプラズマのウエハ表面との反応を局所化するステップと、を含む。【選択図】図４